E2B-M12LS04-WZ-C2接近傳感器 接近傳感器
接近傳感器
信息更新: 2014年3月20日
注:1. 此處的應(yīng)答頻率為平均值。 測量條件:使用標(biāo)準(zhǔn)檢測物體,檢測物體的間距為標(biāo)準(zhǔn)檢測物體的兩倍且設(shè)定距離為檢測距離的1/2。 2. 當(dāng)使用M8尺寸的任何型號時,若環(huán)境溫度在-25~60℃之間時,請確保負(fù)載電流不超過200mA;若環(huán)境溫度在60~70℃之間時,請確保負(fù)載電流不超過100mA。
注:1. 此處的應(yīng)答頻率為平均值。 測量條件:使用標(biāo)準(zhǔn)檢測物體,檢測物體的間距為標(biāo)準(zhǔn)檢測物體的兩倍且設(shè)定距離為檢測距離的1/2。 2. 在使用WZ電纜的條件下。
信息更新: 2014年3月21日
(單位:mm)
HP-1000G型智能光照培養(yǎng)箱 HP-800G型智能光照培養(yǎng)箱 HP-400G型智能光照培養(yǎng)箱 HP-300G型智能光照培養(yǎng)箱 HP-250G型智能光照培養(yǎng)箱 150C數(shù)顯光照培養(yǎng)箱 250D數(shù)顯光照培養(yǎng)箱 BSG-800程控光照培養(yǎng)箱 BSG-400程控光照培養(yǎng)箱 BSG-300程控光照培養(yǎng)箱 BSG-250程控光照培養(yǎng)箱 SPX-300B-G程控光照培養(yǎng)箱 SPX-250B-G程控光照培養(yǎng)箱 GZP-750S程控光照培養(yǎng)箱 GZP-450S程控光照培養(yǎng)箱 GZP-350S程控光照培養(yǎng)箱 GZP-250S程控光照培養(yǎng)箱GZP-750型光照培養(yǎng)箱 ZP-350型光照培養(yǎng)箱 GZP-250型光照培養(yǎng)箱
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